DDR4內(nèi)存時(shí)序及顆粒等級(jí)介紹，手段進(jìn)階內(nèi)存超頻演示
其實(shí)甭管 DDR4 還是 DDR5 咱們?cè)谶x購(gòu)時(shí)需要注意，決定它性能最重要的核心只有一個(gè)，那就是?DRAM 芯片，也就是我們常說(shuō)的內(nèi)存顆粒。DRAM 芯片對(duì)于一整條內(nèi)存權(quán)重就好比顯卡的 GPU 核心，決定了內(nèi)存高頻（內(nèi)存超頻）潛力及大家熟知的內(nèi)存時(shí)序。
內(nèi)存時(shí)序是什么意思？
內(nèi)存頻率自然是越高越好，內(nèi)存讀寫性能也會(huì)越強(qiáng)。而內(nèi)存時(shí)序可以簡(jiǎn)單理解為內(nèi)存操作響應(yīng)時(shí)鐘周期，它決定了內(nèi)存的延遲，時(shí)序越低延遲越低。
特別是很多對(duì)內(nèi)存延遲敏感的游戲，相同頻率不同時(shí)序的兩條內(nèi)存，其游戲性能表現(xiàn)往往差距會(huì)相當(dāng)明顯。
大伙兒呢只需重點(diǎn)關(guān)注?CL、TRCD、TRP 和 TRAS這四個(gè)時(shí)序參數(shù)即可，它們通常用符號(hào)「-」隔開(kāi)。例如咱們經(jīng)常在內(nèi)存宣傳界面看到的 17-18-18-36 即代表該內(nèi)存的主時(shí)序。
DDR4內(nèi)存顆粒“等級(jí)”
既然內(nèi)存顆粒是決定內(nèi)存性能的關(guān)鍵，老規(guī)矩依然給大家?guī)?lái)了以下熱門 DDR4 顆粒排行：
如果非要用一句話概括：DDR4 內(nèi)存顆粒可分兩個(gè)陣容，一個(gè)叫三星 B-die，一個(gè)叫其他。
特挑三星 B-die 是毫無(wú)疑問(wèn)斷檔式領(lǐng)先，強(qiáng)大的超頻潛力與極低時(shí)序表現(xiàn)讓它穩(wěn)坐排行第一。3600MHz 頻率下 C14-14-14-28 只是它的基本盤，手動(dòng)超頻也能輕松做到 4000+ 頻率 C15-15-15-35。
次一級(jí)的便是普通三星 B-die 顆粒，不過(guò)遺憾的是這倆老哥已經(jīng)于數(shù)年前停產(chǎn)。目前市面搭載此顆粒的內(nèi)存已經(jīng)相當(dāng)罕見(jiàn)同時(shí)價(jià)格高的離譜，不再具有性價(jià)比。
而普通用戶能正常買到表現(xiàn)還不錯(cuò)的顆粒包括國(guó)產(chǎn)長(zhǎng)鑫特挑 A-die、海力士 CJR/DJR 以及鎂光 C9 系列。這些顆粒普遍具備 3600MHz 頻率 C18-19-19-38 的基本盤，超頻也是能輕松做到 4000MHz 以上。
第三梯隊(duì)三星 C-die、三星 D-die、南亞 A-die 等顆粒，主打一個(gè)開(kāi) XMP 穩(wěn)定用，不再具備多少超頻潛力。至于更多其他名不見(jiàn)經(jīng)傳的顆粒，頻率、時(shí)序往往慘不忍睹，不提也罷！
因此總結(jié)來(lái)說(shuō)，對(duì)于很多有一定動(dòng)手能力的普通用戶來(lái)說(shuō)，搭載第二梯隊(duì)的海力士 CJR/DJR、鎂光 C9 等顆粒的 DDR4 內(nèi)存無(wú)疑是性價(jià)比不錯(cuò)的選擇。
沒(méi)詳細(xì)標(biāo)注的嘛，大概率采用混發(fā)顆粒，什么妖魔鬼怪都有，純粹看臉抽獎(jiǎng)了！
另外，盡管品牌旗艦定位和丐版顯卡用料、散熱規(guī)模可以相差非常巨大，但只要采用了同一核心，那他們實(shí)際性能差異往往不會(huì)超過(guò) 5%。
不過(guò)哈，高性能內(nèi)存條有無(wú)金屬馬甲以及良好的導(dǎo)熱條件對(duì)性能發(fā)揮同樣比較重要。
內(nèi)存超頻方法
新內(nèi)存到手，很多小白用戶在上機(jī)檢查沒(méi)問(wèn)題后便直接默認(rèn)開(kāi)用，這其實(shí)存在一個(gè)很大的誤區(qū)。
而目前 DDR4 普遍支持?XMP（出廠前預(yù)寫入一套超頻文件），如果上機(jī)不開(kāi)啟 XMP 相當(dāng)于白白損失性能。
XMP開(kāi)啟方法
開(kāi)啟方法也很簡(jiǎn)單，咱們只需在開(kāi)機(jī)時(shí)按 Bios 啟動(dòng)快捷鍵進(jìn)入主板 Bios（御三家主板普遍為 Del 鍵，其他主板也可根據(jù)型號(hào)上網(wǎng)查詢）。然后在 Bios 主界面或高級(jí)選項(xiàng)中打開(kāi) XMP，最后按 F10 保存退出即可。
例如小憶手上的 16G*2 海力士 CJR 顆粒 DDR4 內(nèi)存，默認(rèn)頻率為 2400MHz，時(shí)序 C17-17-17-39。
開(kāi)啟 XMP 后，頻率為 3600MHz，時(shí)序 C16-20-20-38，內(nèi)存電壓 1.4V。此時(shí)讀/寫在 53000-55000MB/s 左右，延遲 60ns 左右。
可以看到，內(nèi)存讀寫性能提升高達(dá)?40%?以上，同時(shí)延遲降低了?30%?以上。如果樂(lè)意動(dòng)手對(duì)內(nèi)存超個(gè)頻還有更大提升。
手動(dòng)內(nèi)存超頻
以我手上這塊華碩 B660 重炮手主板為例，進(jìn)入 Bios 后關(guān)閉 XMP，按 F7 進(jìn)入高級(jí)選擇，點(diǎn)開(kāi) Ai Tweaker 頁(yè)面；
然后調(diào)整內(nèi)存頻率，這個(gè)根據(jù)大伙兒內(nèi)存顆粒來(lái)選擇，如果是上圖第二梯隊(duì)顆?；旧?4000MHz 沒(méi)啥毛?。辉凼种?CJR 顆粒經(jīng)過(guò)嘗試調(diào)整為 4200MHz；
下拉找到內(nèi)存電壓選項(xiàng)，手動(dòng)設(shè)置放寬至 1.45V；
內(nèi)存電壓需根據(jù)內(nèi)存顆粒、頻率、時(shí)序和體質(zhì)來(lái)綜合選擇，常規(guī)內(nèi)存不建議超過(guò) 1.45V，過(guò)高電壓會(huì)導(dǎo)致發(fā)熱增加甚至燒毀風(fēng)險(xiǎn)。當(dāng)然，三星 B-die 顆粒是出了名的相對(duì)比較耐高壓，可適當(dāng)放寬至 1.5V。
接著返回上拉找到內(nèi)存時(shí)序選項(xiàng)；
將第一時(shí)序放寬至 C19-22-22-42，并將 DRAM Command Rate 選項(xiàng)調(diào)整為?2N，其他選項(xiàng)不用動(dòng)；
時(shí)序的調(diào)整同樣需要根據(jù)不同顆粒、頻率和體質(zhì)來(lái)決定，海力士 CJR 為了穩(wěn)定可以考慮設(shè)置為內(nèi)存電壓 1.45V、頻率 4000MHz，時(shí)序 C19-22-22-42。以上選項(xiàng)修改完成后按 F10 保存重啟。
當(dāng)然了，如果愿意花時(shí)間折騰，對(duì)內(nèi)存頻率、時(shí)序進(jìn)行優(yōu)化，同時(shí)壓緊第一時(shí)序后的小參，內(nèi)存性能和延遲表現(xiàn)提升還會(huì)更加明顯。
結(jié)語(yǔ)
電腦硬件如 CPU、顯卡、內(nèi)存條在合理范圍內(nèi)超頻，可獲得一部分額外性能的同時(shí)不會(huì)對(duì)硬件造成損壞。但需要注意，不僅是內(nèi)存超頻，任何超頻行為都會(huì)伴隨著一定風(fēng)險(xiǎn)，因此對(duì)于小白用戶強(qiáng)烈建議多學(xué)習(xí)掌握相關(guān)知識(shí)后再進(jìn)行操作。
*以上內(nèi)容為小編個(gè)人看法，僅供參考！
本文編輯：@ 小憶
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